得到
  • 汉语词
  • 汉语典q
当前位置 :
igbt饱和压降是什么
更新时间:2020-11-06 00:00:00

igbt饱和压降是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。

饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右,IGBT就会损坏。

一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降,来实现IGBT过流保护的。

云一题专稿内容,转载请注明出处
不够精彩?
云一题(yunyiti.com)汇总了汉语字典,新华字典,成语字典,组词,词语,在线查字典,中文字典,英汉字典,在线字典,康熙字典等等,是学生查询学习资料的好帮手,是老师教学的好助手。
声明:本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。

邮箱:  联系方式:

Copyright©2009-2021 云一题 yunyiti.com 版权所有